对比图
型号 CY7C1314BV18-167BZC CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-250BZXC
描述 18 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
引脚数 165 - 165
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
位数 36 - 36
存取时间 - - 0.45 ns
存取时间(Max) 0.5 ns - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃
电源电压(Max) 1.9 V - 1.9 V
电源电压(Min) 1.7 V - 1.7 V
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free