对比图
型号 STI14NM65N STP14NM65N STB11NM65N
描述 N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247D2PAK N-CH 650V 12A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 125W (Tc) 125 W -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 12A
输入电容(Ciss) 1300pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds) -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) -
上升时间 - 13 ns -
额定功率(Max) - 125 W -
下降时间 - 20 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-262-3 TO-220-3 D2PAK
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -