对比图
型号 FQA6N90 FQA8N90C FQA8N90C_F109
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
通道数 - - 1
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 198 W 240 W 240 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 6.40 A 8.00 A 8A
上升时间 - 110 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 1880pF @25V(Vds) 2080pF @25V(Vds) 2080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 198 W 240 W 240 W
下降时间 - 70 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 198W (Tc) 240W (Tc) 240W (Tc)
额定电压(DC) 900 V 900 V -
额定电流 6.40 A 8.00 A -
漏源极电阻 1.93 Ω 1.90 Ω -
漏源击穿电压 900 V 900 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
高度 - 20.1 mm 21.3 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
长度 - 16.2 mm -
宽度 - 5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99