对比图
型号 STB85NF55LT4 STP85NF55 STB85NF55T4
描述 N沟道55 V ， 0.0060 Ω ， 80 A ， TO- 220 ， D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55 V, 0.0060 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK STripFET™ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 8.00 mΩ 0.008 Ω 0.0062 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
输入电容 3.70 nF 3700 pF -
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 40.0 A
输入电容(Ciss) 4050pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V 3 V
上升时间 - 100 ns 100 ns
下降时间 - 35 ns 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
宽度 9.35 mm - 9.35 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
高度 - - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC