MMBTA63LT1和MMBTA63LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA63LT1 MMBTA63LT1G MMBTA63

描述 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP SiliconON SEMICONDUCTOR  MMBTA63LT1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFEMMBTA63 PNP三极管 -30V -1.2A 125MHz 10000 -1.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2U

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -1.20 A

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 350 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) - 5000 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 125MHz (Min) 125MHz (Min)

耗散功率(Max) - 300 mW 350 mW

频率 - - 125 MHz

额定功率 - - 350 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm 2.92 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 1.01 mm 0.93 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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