FDS3992和ZXMN10A08DN8TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3992 ZXMN10A08DN8TA PHKD3NQ10T,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3992..  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 100V, SOICZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8SO N-CH 100V 3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 1.8 W 2 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 1.60 A 3A

上升时间 23 ns 2.2 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 405pF @50V(Vds) 633pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.25 W 2 W

下降时间 26 ns 3.2 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2.5 W 1800 mW 2000 mW

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 4.50 A 2.10 A -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.054 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 750 pF - -

栅电荷 11.0 nC - -

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.575 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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