对比图
型号 MUN5212T1 MUN5212T1G MUN5212DW1T1
描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 6
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-363
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN Dual N-Channel
耗散功率 202 mW 310 mW 385 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 60 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V
额定功率(Max) - 202 mW 250 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 310 mW 385 mW
无卤素状态 - Halogen Free -
最大电流放大倍数(hFE) 60 - -
高度 0.85 mm 0.85 mm 0.9 mm
封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-363
长度 2.1 mm 2.1 mm -
宽度 1.24 mm 1.24 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -