FQD16N25CTM和MTD6N20ET4G

对比图

型号 FQD16N25CTM MTD6N20ET4G IRLR024TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD16N25CTM  场效应管, MOSFET, N沟道, 250VON SEMICONDUCTOR  MTD6N20ET4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 220 mΩ 0.46 Ω 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 50 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 250 V 200 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 6.00 A 14.0 A

上升时间 130 ns 29 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 1.75 W 2.5 W

下降时间 105 ns 20 ns 41 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160 W 1.75W (Ta), 50W (Tc) 2500 mW

额定电压(DC) 250 V 200 V -

额定电流 16.0 A 6.00 A -

针脚数 3 3 -

阈值电压 4 V 3 V -

漏源击穿电压 250 V 200 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -

输入电容 - 480 pF -

栅电荷 - 21.0 nC -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.6 mm 6.73 mm -

宽度 6.1 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.38 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -