对比图
型号 STB18N65M5 STD18N65M5 STB16N65M5
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 198 mΩ 0.198 Ω 0.23 Ω
耗散功率 110 W 110 W 90 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 1240 pF 1240 pF -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 650 V - -
上升时间 7 ns 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1240pF @100V(Vds) 1240pF @100V(Vds) 1250pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 90 W
下降时间 11 ns 9 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
极性 - - N-Channel
连续漏极电流(Ids) - - 12A
长度 10.4 mm 6.6 mm 10.75 mm
宽度 9.35 mm 6.2 mm 10.4 mm
高度 4.6 mm 2.4 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99