对比图
型号 IPD60R950C6ATMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD60R950C6
描述 INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 700V 2.8AInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.68 Ω - 860 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 48 W 28.4 W 37 W
阈值电压 3 V - 2.5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 700 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.4A 2.8A 4.4A
上升时间 8 ns 6 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 262pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 37 W - 37 W
下降时间 13 ns 18.2 ns 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 37W (Tc) 28.4W (Tc) 37W (Tc)
针脚数 3 - -
输入电容 280 pF - -
额定功率 - 28.4 W -
长度 6.5 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17