对比图
型号 IXFH40N50Q2 STP5NK100Z SPA04N80C3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH40N50Q2 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.14 Ω 3.7 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 125 W 38 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 1 kV 800 V
漏源击穿电压 500 V 1.00 kV -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 3.50 A 4.00 A
上升时间 13 ns 7.7 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4850pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
下降时间 8 ns 19 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 560W (Tc) 125W (Tc) 38W (Tc)
额定电压(DC) - 1.00 kV 800 V
额定电流 - 3.50 A 4.00 A
额定功率 - 125 W 38 W
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
额定功率(Max) - 125 W 38 W
长度 16.26 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 5.3 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 21.46 mm 9.15 mm 16.15 mm
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-220-3
重量 6.00 g - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99