对比图
型号 FQB30N06LTM STB36NF06LT4 PHB160NQ08T,118
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB30N06LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 VD2PAK N-CH 75V 75A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 79 W 70 W 300 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 30.0 A 75A
上升时间 210 ns 80 ns 56 ns
输入电容(Ciss) 1040pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 5585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.75 W 70 W 300 W
下降时间 110 ns 13 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.75 W 70W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 32.0 A 30.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.027 Ω 0.032 Ω -
阈值电压 2.5 V 1 V -
输入电容 - 660 pF -
栅电荷 - 17.5 nC -
漏源击穿电压 60.0 V 60 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -