IRLR3410PBF和STD6NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3410PBF STD6NF10T4 IRLR3410TRPBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR3410PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 17A, D-PAK 新STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR3410TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 17.0 A 6.00 A 17.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.155 Ω 0.22 Ω 0.105 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 79 W 30 W 79 W

产品系列 IRLR3410 - IRLR3410

阈值电压 2 V 4 V 2 V

输入电容 800pF @25V - 800pF @25V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 3.00 A 17.0 A

上升时间 53.0 ns 10 ns 53.0 ns

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 30 W 79 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 3 ns -

耗散功率(Max) - 30W (Tc) -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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