对比图
型号 2N6660 VP0104N3-G BS170
描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, P沟道, -250 mA, -40 V, 6 ohm, -10 V, -3.5 V小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39-3 TO-92-3 TO-226-3
额定功率 - 1 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3 Ω 6 Ω 5 Ω
耗散功率 6.25 W 1 W 350 mW
漏源极电压(Vds) 60 V 40 V 60 V
上升时间 - 3 ns -
输入电容(Ciss) 50pF @24V(Vds) 60 pF 60pF @10V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W 830 mW
下降时间 - 4 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 6.25W (Tc) 1W (Tc) 350mW (Ta)
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 500 mA
通道数 1 - 1
极性 - - N-Channel
阈值电压 2 V - 2.1 V
输入电容 - - 60.0 pF
漏源击穿电压 60 V - 60 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 500 mA
长度 - 5.21 mm 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
高度 - 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-39-3 TO-92-3 TO-226-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 Bulk Bag Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead