对比图
型号 BSZ22DN20NS3GATMA1 BUZ31H3046XKSA1 BSZ42DN25NS3GATMA1
描述 INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VInfineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON BSZ42DN25NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 8 3 8
封装 TSDSON-8 TO-262-3 TSDSON-8
额定功率 34 W 95 W 33.8 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.194 Ω 200 mΩ 0.371 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 34 W 95 W 33.8 W
阈值电压 3 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 7A 14.5A 5A
上升时间 4 ns 50 ns 2 ns
输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) 840pF @25V(Vds) 320pF @100V(Vds)
下降时间 3 ns 60 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 34000 mW 95W (Tc) 33800 mW
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 200 V 250 V
长度 3.3 mm 10.36 mm 3.3 mm
宽度 3.3 mm 4.52 mm 3.3 mm
高度 1.1 mm 9.45 mm 1.1 mm
封装 TSDSON-8 TO-262-3 TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17