对比图
型号 FQPF19N20 STF20NF20 FQPF19N20T
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF19N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STF20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 VN沟道 100V 11.8A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 200 V 100 V
额定电流 19.4 A 18.0 A 19.0 A
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 150 mΩ 0.1 Ω 150 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 30 W 50W (Tc)
阈值电压 5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 100 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.8 A 18.0 A 11.8 A
上升时间 190 ns 30 ns -
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 30 W -
下降时间 80 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 50W (Tc) 30W (Tc) 50W (Tc)
输入电容 - 940 pF -
栅电荷 - 28.0 nC -
长度 10.36 mm 10.4 mm -
宽度 4.9 mm 4.6 mm -
高度 16.07 mm 16.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -