对比图
型号 SPI20N65C3 SPI20N65C3HKSA1 IPI65R190C6XKSA1
描述 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedTO-262 N-CH 650V 20.7AInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.7A 20.2A
上升时间 5 ns 5 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1620pF @100V(Vds)
下降时间 4.5 ns 4.5 ns 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 208000 mW 151W (Tc)
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 20.7 A - -
输入电容 2.40 nF - -
栅电荷 114 nC - -
额定功率(Max) 208 W - -
额定功率 - - 151 W
耗散功率 - - 151W (Tc)
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3
长度 10.2 mm - 10.36 mm
宽度 4.5 mm - 4.57 mm
高度 9.45 mm - 9.45 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)