对比图
型号 PD55015STR-E PD55015TR-E PD55015-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsPD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管STMICROELECTRONICS PD55015-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz
额定电流 5 A 5 A 5 A
耗散功率 73000 mW 73000 mW 73 W
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
输出功率 15 W 15 W 15 W
增益 14 dB 14 dB 14 dB
测试电流 150 mA 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 89pF @12.5V(Vds) 89pF @12.5V(Vds) 89pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 73000 mW 73000 mW 73000 mW
额定电压 40 V 40 V 40 V
针脚数 - - 3
极性 - - N-Channel
输入电容 - - 89 pF
漏源击穿电压 - - 40.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 5.00 A
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF
长度 - - 9.6 mm
宽度 - - 9.5 mm
高度 - - 3.6 mm
工作温度 - -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR