FDS6912和STS8DNF3LL

对比图

型号 FDS6912 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 VSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-830V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 8.00 A 8A/9A

输入电容(Ciss) 740pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.6 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 8.00 A -

漏源极电阻 0.028 Ω 0.02 Ω -

阈值电压 2 V 1 V -

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V ±16.0 V -

上升时间 13 ns 32 ns -

下降时间 8 ns 11 ns -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -