BSO4822和PHK12NQ03LT,518

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO4822 PHK12NQ03LT,518 STS12NF30L

描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorPHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1STMICROELECTRONICS  STS12NF30L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 12.7 A - 12.0 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 12.7A 11.8 A 12.0 A

输入电容(Ciss) 1640pF @25V(Vds) 1335pF @16V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.0089 Ω 0.008 Ω

阈值电压 - 2 V 1 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

上升时间 - 11.7 ns 90 ns

下降时间 - 19 ns 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.45 mm 1.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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