对比图
型号 STD13NM60N STD13NM60ND STD13N60M2
描述 STMICROELECTRONICS STD13NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.28 Ω 0.32 Ω 0.38 Ω
耗散功率 90 W 109 W 110 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - - 650 V
上升时间 8 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 845pF @50V(Vds) 580pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 90 W - 110 W
下降时间 10 ns 15.4 ns 9.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 109W (Tc) 110W (Tc)
极性 N-Channel N-CH -
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 11A -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -