对比图
型号 IRFR3710ZTRLPBF STD70N10F4 PSMN025-100D,118
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 15Milliohms; ID 56A; D-Pak (TO-252AA); -55degN沟道100 V， 0.015 I© ， 60 A ， STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用TO- 220 ， DPAK ， TO- 247 ， D2PAK N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKNXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 18 mΩ 0.015 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 125 W 150 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 - 20 ns 72 ns
正向电压(Max) - 1.5 V -
输入电容(Ciss) - 5800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 150 W
下降时间 - 20 ns 58 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125W (Tc) 150W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 56.0 A - 47.0 A
输入电容 2930pF @25V - -
漏源击穿电压 100 V - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC