对比图
型号 STP5NK100Z STW14NK60Z IXFP4N100Q
描述 STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 3.7 Ω 500 mΩ 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 160W (Tc) 156 W
阈值电压 3.75 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 600 V 1 kV
漏源击穿电压 1.00 kV 600 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 13.5 A 4.00 A
上升时间 7.7 ns - 15 ns
反向恢复时间 - - 250 ns
输入电容(Ciss) 1154pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 150 W
下降时间 19 ns - 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 160W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV 600 V -
额定电流 3.50 A 13.5 A -
额定功率 125 W - -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
长度 10.4 mm - 10.66 mm
宽度 4.6 mm - 4.83 mm
高度 9.15 mm - 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -