对比图
型号 CSD18503Q5A CSD18503Q5AT CSD18509Q5BT
描述 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD18503Q5A40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、4.3mΩ 8-VSONP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 VSON-8 VSON-Clip-8
通道数 1 - 1
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0034 Ω - 0.001 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 120 W 3.1 W 195 W
阈值电压 1.8 V - 1.8 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A 100A
上升时间 8.8 ns 8.8 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 2640pF @20V(Vds) 2200pF @20V(Vds) 10700pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - -
下降时间 2.6 ns 2.6 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3100 mW 3.1W (Ta), 195W (Tc)
漏源击穿电压 - - 40 V
长度 5.8 mm - 5 mm
宽度 5 mm - 5 mm
高度 1.1 mm - 1 mm
封装 VSON-FET-8 VSON-8 VSON-Clip-8
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC