BD441G和TIP49

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD441G TIP49 BD441

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  TIP49  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFENPN功率晶体管 NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 36 W 2 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 350 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 30 @300mA, 10V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 2 W 36 W

直流电流增益(hFE) 15 150 140

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 2000 mW 36000 mW

频率 3 MHz 10 MHz -

额定电压(DC) 80.0 V 350 V -

额定电流 4.00 A 1.00 A -

针脚数 3 3 -

增益频宽积 3 MHz 10 MHz -

集电极最大允许电流 4A - -

最大电流放大倍数(hFE) - 150 -

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-126-3

长度 7.74 mm 10.67 mm -

宽度 2.66 mm 4.83 mm -

高度 11.04 mm 9.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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