CY7C1370DV25-167BZI和CY7C1370DV25-200BZI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370DV25-167BZI CY7C1370DV25-200BZI CY7C1370DV25-167BZC

描述 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

位数 36 - 36

存取时间(Max) 3.4 ns - 3.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V 2.5 V 2.375V ~ 2.625V

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台