BUZ81和STP4NA80

对比图

型号 BUZ81 STP4NA80 BUK456-800A

描述 SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR功率MOS晶体管 PowerMOS transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220-3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 4.00 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 2.4 Ω -

耗散功率 - 110 W -

漏源击穿电压 - 800 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 70 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 TO-220 TO-220-3 -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant -