STP4NA80

STP4NA80图片1
STP4NA80中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买STP4NA80
型号: STP4NA80
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
替代型号STP4NA80
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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