通道数 1
漏源极电阻 2.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
上升时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
STP4NA80
ST Microelectronics 意法半导体
当前型号
BUZ81
英飞凌
功能相似
BUZ80A
意法半导体
BUK456-800A
恩智浦