对比图
型号 IRFR1018EPBF STD60N55F3 STD70N6F3
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3Pin(2+Tab) DPAK TubeN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTD70N6F3 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 STripFET™ III 功率 MOSFET - TO-252
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 7.1 mΩ - -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 110 W 110 W 110 W
产品系列 IRFR1018E - -
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 79.0 A 80A -
输入电容(Ciss) 2290pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)
输入电容 - 2200 pF -
上升时间 - 50 ns -
下降时间 - 11.5 ns -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -