对比图
型号 IRL1004SPBF STB140NF55T4 STB95N3LLH6
描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 0.0065Ω; ID 130A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-16VSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 0.009 Ω 0.0065 Ω 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 300 W 70 W
阈值电压 1 V 3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 40 V 55 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 130 A 80.0 A 80A
上升时间 210 ns 150 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
下降时间 - 45 ns 23.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) 40.0 V 55.0 V -
额定电流 130 A 80.0 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源击穿电压 40 V 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) 3.8 W 300 W -
产品系列 IRL1004S - -
输入电容 5330pF @25V - -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99