对比图
型号 SI7454CDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7454CDP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 100 V, 25200 µohm, 10 V, 1.2 VVISHAY SI7454DDP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAK SO SO-8
安装方式 - Surface Mount
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0252 Ω 0.027 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 4.1 W 29.7 W
阈值电压 1.2 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
上升时间 - 13 ns
输入电容(Ciss) - 550pF @50V(Vds)
下降时间 - 9 ns
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 29.7 W
封装 PowerPAK SO SO-8
长度 - 6.25 mm
宽度 - 5.26 mm
高度 - 1.12 mm
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃
包装方式 - Tape & Reel (TR)