对比图
型号 IPB025N08N3G IPB025N08N3GATMA1
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistorINFINEON IPB025N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 80 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.8 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
引脚数 3 3
封装 TO-263-2 TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W
上升时间 73 ns 73 ns
输入电容(Ciss) 10700pF @40V(Vds) 10700pF @40V(Vds)
下降时间 33 ns 33 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW
额定功率 - 300 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.002 Ω
阈值电压 - 2.8 V
漏源极电压(Vds) - 80 V
连续漏极电流(Ids) - 120A
封装 TO-263-2 TO-263-3
长度 - 10.31 mm
宽度 - 9.45 mm
高度 - 4.57 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃