对比图
型号 SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-GE3
描述 VISHAY SI7489DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -100 V, 0.033 ohm, -10 V, -3 VVISHAY SI7489DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 28A, SOIC, 整卷
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAK SO
安装方式 Surface Mount -
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.033 Ω 0.033 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 83 W 5.2 W
漏源极电压(Vds) -100 V -100 V
连续漏极电流(Ids) -28.0 A -28.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
上升时间 20.0 ns -
下降时间 100 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAK SO
长度 5.99 mm -
高度 1.07 mm -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 EAR99 -