对比图
型号 2SJ553L-E IRF5305 IRF5305PBF
描述 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FETTO-220AB P-CH 55V 31AINFINEON IRF5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - -55.0 V -
额定电流 - -31.0 A -
漏源极电阻 - 60.0 mΩ 0.06 Ω
极性 - P-Channel P-Channel
耗散功率 - 110 W 110 W
产品系列 - IRF5305 -
漏源极电压(Vds) - 55.0 V 55 V
漏源击穿电压 - -55.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 31.0 A 31A
上升时间 - 66 ns 66 ns
输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
下降时间 - 63 ns 63 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110000 mW 110W (Tc)
额定功率 - - 110 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1200 pF
额定功率(Max) - - 110 W
封装 - TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.54 mm
宽度 - - 4.69 mm
高度 - - 8.77 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free