对比图
型号 PD84008-E PD84008L-E PD84008S-E
描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 3 14 3
封装 PowerSO-10RF 5X5-8 PowerSO-10RF
频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz
耗散功率 79000 mW 26.7 W 79 W
输出功率 2 W 2 W 8 W
增益 16.2 dB 15.5 dB 16.2 dB
测试电流 250 mA 250 mA 250 mA
输入电容(Ciss) 56pF @7V(Vds) 57pF @7V(Vds) 56pF @7V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 150 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 79000 mW 26700 mW 79000 mW
额定电压 25 V 25 V 25 V
额定电流 7 A 7 A -
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V -
针脚数 - 8 -
长度 - - 7.5 mm
宽度 - - 9.4 mm
高度 - - 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF 5X5-8 PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -