MMBT5087LT1G和MPS6601

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT5087LT1G MPS6601 2N5087RLRAG

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE放大器晶体管 Amplifier TransistorsON SEMICONDUCTOR  2N5087RLRAG  单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 1.5 W, -50 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 40 MHz - 40 MHz

额定电压(DC) -50.0 V 25.0 V -50.0 V

额定电流 -50.0 mA 1.00 A -50.0 mA

额定功率 300 mW - -

针脚数 3 - 3

极性 PNP N-Channel PNP

耗散功率 225 mW 625 mW 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 25 V 50 V

集电极最大允许电流 0.05A - 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 50 @500mA, 1V 250 @100µA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 40 - 250

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 625 mW

长度 3.04 mm - 5.2 mm

宽度 1.3 mm - 4.19 mm

高度 1.01 mm - 5.33 mm

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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