对比图
型号 PHE13007 ST13007D MJE13007G
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR MJE13007G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 700 V - 400 V
额定电流 8.00 A - 8.00 A
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V
最小电流放大倍数(hFE) 8 @2A, 5V 8 @5A, 5V 5 @5A, 5V
额定功率(Max) 80 W 80 W 80 W
针脚数 - 3 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 80 W 80 W
集电极最大允许电流 - 8A 8A
直流电流增益(hFE) - 8 4
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 80000 mW 80000 mW
频率 - - 14 MHz
上升时间 - - 1.5 µs
热阻 - - 1.56℃/W (RθJC)
下降时间 - - 0.7 µs
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - - 10.28 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 - - 15.75 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
材质 - - Silicon
ECCN代码 - EAR99 EAR99