STD2NK90ZT4和STD3NK90ZT4

对比图

型号 STD2NK90ZT4 STD3NK90ZT4 FQD2N90TF

描述 STMICROELECTRONICS  STD2NK90ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 900 V, 5 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 900V 1.7A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 900 V 900 V 900 V

额定电流 2.10 A 3.00 A 1.70 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 5 Ω 4.1 Ω 7.20 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 90 W 2.5W (Ta), 50W (Tc)

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.10 A 3.00 A 1.70 A

上升时间 11 ns 7 ns -

输入电容(Ciss) 485pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 90 W 2.5 W

下降时间 40 ns 18 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 90W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

输入电容 - - 500 pF

栅电荷 - - 15.0 nC

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99