VNS3NV04D和VNS3NV04DP-E

对比图

型号 VNS3NV04D VNS3NV04DP-E VNS3NV04D13TR

描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理电源管理FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出接口数 2 2 2

供电电流 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA

通道数 2 2 2

漏源极电阻 120 mΩ - 120 mΩ

耗散功率 4000 mW - 4000 mW

漏源击穿电压 45.0 V - 45.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.50 A - 3.50 A

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

输出电流(Min) 3.5 A 3.5 A 3.5 A

耗散功率(Max) 4000 mW - 4000 mW

极性 - - N-Channel

额定功率 - 4 W -

输出电流 - 3.5 A -

针脚数 - 8 -

输入数 - 2 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99