DS1265W-100IND+和DS1265AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1265W-100IND+ DS1265AB-70+ DS1265W-100IND

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1265W-100IND+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIPIC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 70.0 ns 100 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 1000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V 4.75V ~ 5.25V 3V ~ 3.6V

工作电压 3.3 V - -

针脚数 36 - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

长度 53.34 mm - 53.34 mm

宽度 18.8 mm - 18.8 mm

高度 10.29 mm - 10.29 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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