PD55035-E和PD55035STR-E

对比图

型号 PD55035-E PD55035STR-E PD55035S

描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10-4

引脚数 3 3 -

极性 - - N-Channel

耗散功率 95 W 95000 mW 95.0 W

漏源击穿电压 - - 40.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 7.00 A

频率 500 MHz 500 MHz -

输出功率 35 W 35 W -

增益 16.9 dB 16.9 dB -

测试电流 200 mA 200 mA -

输入电容(Ciss) 92pF @12.5V(Vds) 92pF @12.5V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 95000 mW 95000 mW -

额定电压 40 V 40 V -

额定电流 7 A - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10-4

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -