对比图
型号 STP20NF06 STP55NF06 STD35NF06LT4
描述 N沟道60V - 0.06ohm - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 20.0 A 50.0 A 35.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 70.0 mΩ 0.015 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 30 W 80 W
阈值电压 - 3 V 1 V
输入电容 - - 1700 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 50.0 A 17.5 A
上升时间 15.0 ns 50 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 110 W 80 W
下降时间 - 15 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 110W (Tc) 80W (Tc)
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 9.15 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99