FDS6688和FDS6688S

对比图

型号 FDS6688 FDS6688S FDS8672S

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 16.0 A 16.0 A -

漏源极电阻 4.50 mΩ 6.00 mΩ 0.0038 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W

输入电容 3.89 nF 3.29 nF -

栅电荷 40.0 nC 56.0 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 18A

上升时间 11.0 ns 12 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 3888pF @15V(Vds) 3290pF @15V(Vds) 2670pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.2 W 1 W 1 W

下降时间 - 60 ns 3 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 2.1 V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -