对比图
型号 FDP5690 STP120NF10 IRFZ44PBF
描述 60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFETSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 100 V 60.0 V
额定电流 32.0 A 120 A 50.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 27.0 mΩ 0.009 Ω 0.028 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 58 W 312 W 150 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 110 A 50.0 A
上升时间 9 ns 90 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 1120pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 58 W 312 W 150 W
下降时间 10 ns 68 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 58W (Tc) 312000 mW 150000 mW
输入电容 1.12 nF - 1.90 nF
栅电荷 23.0 nC - 67.0 nC
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -