对比图
描述 80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 80.0 V 100 V
额定电流 4.00 A 4.00 A
漏源极电阻 70.0 mΩ 65.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V
漏源击穿电压 80.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A
上升时间 3 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 634pF @40V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W
下降时间 4 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
输入电容 634 pF -
栅电荷 13.0 nC -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99