对比图
型号 IRFR5505TRPBF SPD18P06P NTD20P06LT4G
描述 INFINEON IRFR5505TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -55 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 VINFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 VON SEMICONDUCTOR NTD20P06LT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -18.6 A -15.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.11 Ω 130 mΩ 0.143 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 57 W 80 W 65 W
阈值电压 4 V 20 V 1.5 V
输入电容 650 pF 860 pF -
栅电荷 - 33.0 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 18A 18.6 A 15.5 A
上升时间 28 ns 5.8 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 57 W 80 W 65 W
下降时间 16 ns 11 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 150 ℃ -
耗散功率(Max) 57W (Tc) 80000 mW 65000 mW
额定功率 57 W - -
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99