M48Z35-70PC1和DS1230AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M48Z35-70PC1 DS1230AB-70+ BQ4011MA-100

描述 ZEROPOWER® 静态 RAM,STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。### SRAM(静态随机存取存储器)MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V

供电电流 50 mA - 50 mA

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 100 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

存取时间(Max) 70 ns - 100 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.5V

工作电压 4.75V ~ 5.5V - -

针脚数 28 28 -

电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

高度 9.65 mm 9.4 mm 9.53 mm

封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28

长度 39.88 mm 39.12 mm -

宽度 18.34 mm 18.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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