对比图
型号 IPB054N06N3G SPB80N06S2-H5 IPB054N06N3GATMA1
描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N06N3GATMA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - - 115 W
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 115 W 300W (Tc) 115 W
输入电容 - 550 pF 5000 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80A
上升时间 - - 68 ns
输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 5000pF @30V(Vds)
下降时间 - - 9 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 115 W
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
栅电荷 - 155 nC -
额定功率(Max) - 300 W -
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 11.05 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free