SSP6N70A和STP9NK70Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SSP6N70A STP9NK70Z STD3NK50Z

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道500V - 2.8ohm - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220 TO-220-3 DPAK

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 6A 4.00 A 2.3A

额定电压(DC) - 700 V -

额定电流 - 7.50 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1 Ω -

耗散功率 - 115 W -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 - 700 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 17 ns -

输入电容(Ciss) - 1370pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 115 W -

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 115W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 DPAK

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 16.4 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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