对比图



型号 SSP6N70A STP9NK70Z STD3NK50Z
描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP9NK70Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道500V - 2.8ohm - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-220 TO-220-3 DPAK
引脚数 - 3 -
极性 N-CH N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 6A 4.00 A 2.3A
额定电压(DC) - 700 V -
额定电流 - 7.50 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 1 Ω -
耗散功率 - 115 W -
阈值电压 - 3.75 V -
漏源击穿电压 - 700 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
上升时间 - 17 ns -
输入电容(Ciss) - 1370pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 115 W -
下降时间 - 13 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 115W (Tc) -
封装 TO-220 TO-220-3 DPAK
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 16.4 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -