STP24NF10和BUK7575-100A,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP24NF10 BUK7575-100A,127 FQP33N10

描述 STMICROELECTRONICS  STP24NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 VTO-220AB N-CH 100V 23AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP33N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 26.0 A - 33.0 A

额定功率 85 W - -

通道数 1 1 1

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.055 Ω - 0.052 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 85 W 99 W 127 W

阈值电压 3 V - 4 V

输入电容 870 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 26.0 A 23A 33.0 A

上升时间 45 ns - 195 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 1210pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 85 W 99 W 127 W

下降时间 20 ns - 110 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 85W (Tc) 99W (Tc) 127 W

长度 10.4 mm - 10.67 mm

宽度 4.6 mm 4.5 mm 4.83 mm

高度 9.15 mm - 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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